任何电子控制设备，都需要电源供应。有些设备具有自备电源，有些设备，如温度、压力传感器等，则需另外配用适宜的电源——DC24V电源。随着各类传感器在工业控制领域的大量应用，相应的电源产品的供给也形成了一定的

1、ZX7-315逆变焊机的主电路整流电路和控制电源电路〔整流主电路、电容预充电控制电路〕3相电源经电源开关（空气断路器）QF1引入，输入由3块桥式整流模块组成的3相桥式整流电路中。继电器KA1和两只功率电阻形为电容预充电

四:对一些异常现象的分析思路和实例了解晶体管的电参数，是为了用好晶体管。什么叫用好晶体管？是一个智者见智，仁者见仁的问题，我相信不会有唯一的答案。我想，作为电子应用工程师，除了对晶体管有所了解，还必须对其它的电子元

电容器的参数与分类参数1. 标称电容量（CR）。电容器产品标出的电容量值。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低（大约在5000pF以下）；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中（大约在0.005uF~1.0uF）；通常电解电容器的容量较大。这是

一、极限参数所谓极限参数，是指在晶体管工作时，不管因何种原因，都不允许超过的参数。这些参数常规的有三个击穿电压（BV）、*大集电极电流（Icm）、*大集电极耗散功率（Pcm）、晶体管工作的环境（包括温度、湿度、电磁场、大气压等）、

二、直流参数（DC）常规的直流参数有：三个反向漏电流（Iceo、Icbo、Iebo）、两个饱和压降（Vces、Vbes）、共发射极放大（Hfe或β）。分述如下。1、 晶体管反向漏电流定义：在PN结两端加一定值反向直流电压，此时检测到的电流，即为被测晶体

绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个P型层。根据国际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。 IGBT的结构剖面图如图1-1所示，IGBT在结构上类似于MOS

如果是经常维修某一种或几种品牌的变频器，手头应该有其CPU主板与电源/驱动板连接排线的端子图，有了它，检修工效会大为提高。变频器控制电路的重要信号和电源供应，都是通过端子排来传输的。 图1 DSP主板与电源/驱动板的信

金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（*高可达1015Ω）。它

本例开关电源电路（以中达VFD-B型22kW实际电路为原型），根据电路结构特点，可以分为振荡与稳压控制电路、推动级和逆变输出级三部分，划分故障范围和维修。开关电源故障的检修难点和要点，是判断UC284x系列振荡芯片的工作状态，是