1.IGBT的结构与工作原理 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。新乡安川 ，鹤壁安川 ，安阳安川 ，濮阳安川 ，焦作安川 ，济源安川 ，洛阳安川 ，三门峡安川 ，开封安川 ，许昌安川 ，周口安川 ，商丘安川 ，漯河安川 ，平顶山安川 ，信阳安川 ，南阳安川 ，驻马店安川 ,山西安川 ，山东安川 等  郑州安川 中心 维修 郑州软起动器维修 维修电话：0371- 56700815  15515598858  郑州变频器　网址：//www.appwarp.com