若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

　　由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：

IGBT栅极与发射极之间的电压；

IGBT集电极与发射极之间的电压；

流过IGBT集电极－发射极的电流；

IGBT的结温。

　　如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏；同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压，流过IGBT集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的比较大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永久性损坏。新乡 ，鹤壁 ，安阳 ，濮阳 ，焦作 ，济源 ，洛阳 ，三门峡 ，开封 ，许昌 ，周口 ，商丘 ，漯河 ，平顶山 ，信阳 ，南阳 ，驻马店 ,山西 ，山东 等 中心 中心，技术精湛，质量可靠，价格比较低，信誉保证！ 维修电话：0371- 56700815  15515598858  郑州变频器　网址：//www.appwarp.com