IFCN AIM
2007.09
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IGBT模块的损耗
􀂄 IGBT模块的损耗源于内部IGBT和二极管（续流FWD、整流）芯片的损耗，
主要是IGBT和FWD产生的损耗。
􀂄 IGBT不是一个理想开关，体现在：
1）IGBT在导通时有饱和电压– Vcesat
2）IGBT在开关时有开关能耗–Eon和Eoff
这是IGBT产生损耗的根源。Vcesat造成导通损耗，Eon和Eoff造成开关
损耗。导通损耗 + 开关损耗= IGBT总损耗。
􀂄 FWD也存在两方面的损耗，因为：
1）在正向导通（即续流）时有正向导通电压：Vf
2）在反向恢复的过程中有反向恢复能耗：Erec。
Vf造成导通损耗，Erec造成开关损耗。导通损耗 + 开关损耗= FWD总
损耗。
􀂄 Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec体现了IGBT/FWD芯片的技术特征。因此
IGBT/FWD芯片技术不同，Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec也不同。

SKKT106/16E  SKKT253/16E  PK130FG160  PK110F/160  PK250HB160

PK55F/160   PWB130A40  PWB100A40  PWB80A40  FS450R12KE3 

FS300R12KE3  7MBP150RA120  160MT160  DDB6U100N16R 

DDB6U100N16RR  DFA75BA160  DFA100BA160  BSM100GD120DN2

BSM100GD120DLC PDT4004  PDT4008  PDT40012   FP25R12KT3 

FP25R12KE3 FP50R12KE3  FP50R12KT3  FP75R12KE3  FP75R12KT3 

BSM100GB120DN2  BSM100GB120DLC  BSM150GB120DN2 

BSM200GB120DN2 BSM300GB120DLC TT162N16   

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