IGBT模块的损耗、温度和安全运行
发布时间:2019-08-02 15:44:38来源:
IFCN AIM
2007.09
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IGBT模块的损耗
IGBT模块的损耗源于内部IGBT和二极管(续流FWD、整流)芯片的损耗,
主要是IGBT和FWD产生的损耗。
IGBT不是一个理想开关,体现在:
1)IGBT在导通时有饱和电压– Vcesat
2)IGBT在开关时有开关能耗–Eon和Eoff
这是IGBT产生损耗的根源。Vcesat造成导通损耗,Eon和Eoff造成开关
损耗。导通损耗 + 开关损耗= IGBT总损耗。
FWD也存在两方面的损耗,因为:
1)在正向导通(即续流)时有正向导通电压:Vf
2)在反向恢复的过程中有反向恢复能耗:Erec。
Vf造成导通损耗,Erec造成开关损耗。导通损耗 + 开关损耗= FWD总
损耗。
Vcesat,Eon,Eoff,Vf和Erec体现了IGBT/FWD芯片的技术特征。因此
IGBT/FWD芯片技术不同,Vcesat,Eon,Eoff,Vf和Erec也不同。
SKKT106/16E SKKT253/16E PK130FG160 PK110F/160 PK250HB160
PK55F/160 PWB130A40 PWB100A40 PWB80A40 FS450R12KE3
FS300R12KE3 7MBP150RA120 160MT160 DDB6U100N16R
DDB6U100N16RR DFA75BA160 DFA100BA160 BSM100GD120DN2
BSM100GD120DLC PDT4004 PDT4008 PDT40012 FP25R12KT3
FP25R12KE3 FP50R12KE3 FP50R12KT3 FP75R12KE3 FP75R12KT3
BSM100GB120DN2 BSM100GB120DLC BSM150GB120DN2
BSM200GB120DN2 BSM300GB120DLC TT162N16
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