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IGBT模块的损耗、温度和安全运行

发布时间:2019-08-02 15:44:38来源:

IFCN AIM
2007.09
页 2
IGBT模块的损耗
􀂄 IGBT模块的损耗源于内部IGBT和二极管(续流FWD、整流)芯片的损耗,
主要是IGBT和FWD产生的损耗。
􀂄 IGBT不是一个理想开关,体现在:
1)IGBT在导通时有饱和电压– Vcesat
2)IGBT在开关时有开关能耗–Eon和Eoff
这是IGBT产生损耗的根源。Vcesat造成导通损耗,Eon和Eoff造成开关
损耗。导通损耗 + 开关损耗= IGBT总损耗。
􀂄 FWD也存在两方面的损耗,因为:
1)在正向导通(即续流)时有正向导通电压:Vf
2)在反向恢复的过程中有反向恢复能耗:Erec。
Vf造成导通损耗,Erec造成开关损耗。导通损耗 + 开关损耗= FWD总
损耗。
􀂄 Vcesat,Eon,Eoff,Vf和Erec体现了IGBT/FWD芯片的技术特征。因此
IGBT/FWD芯片技术不同,Vcesat,Eon,Eoff,Vf和Erec也不同。

SKKT106/16E  SKKT253/16E  PK130FG160  PK110F/160  PK250HB160

PK55F/160   PWB130A40  PWB100A40  PWB80A40  FS450R12KE3 

FS300R12KE3  7MBP150RA120  160MT160  DDB6U100N16R 

DDB6U100N16RR  DFA75BA160  DFA100BA160  BSM100GD120DN2

BSM100GD120DLC PDT4004  PDT4008  PDT40012   FP25R12KT3 

FP25R12KE3 FP50R12KE3  FP50R12KT3  FP75R12KE3  FP75R12KT3 

BSM100GB120DN2  BSM100GB120DLC  BSM150GB120DN2 

BSM200GB120DN2 BSM300GB120DLC TT162N16   

电话15515598858  QQ16921991

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